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首页 全部分类 DMN4468LSS-13 vs IRF9328TRPBF

DMN4468LSS-13备选型号: IRF9328TRPBF

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  • 操作模式
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 电阻
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • Diodes Incorporated
    DMN4468LSS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N CH 30V 10A 8SOP
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    5.46 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14m Ω @ 11.6A, 10V
    1.95V @ 250μA
    867pF @ 10V
    18.85nC @ 10V
    14.53ns
    30V
    ±20V
    14.53 ns
    10A
    20V
    50A
    30V
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9328TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    1
    增强型MOSFET
    19 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    11.9m Ω @ 12A, 10V
    2.4V @ 25μA
    1680pF @ 25V
    52nC @ 10V
    57ns
    30V
    ±20V
    66 ns
    -12A
    20V
    96A
    -
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    11.9MOhm
    Single
    2.5W
    -1.8V
    -30V
    150°C
    -1.8 V
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