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首页 全部分类 DMN4800LSSL-13 vs IRF8313PBF

DMN4800LSSL-13备选型号: IRF8313PBF

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 漏源电压 (Vdss)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 场效应管特性
  • Diodes Incorporated
    DMN4800LSSL-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    8
    1
    Single
    增强型MOSFET
    5.03 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14m Ω @ 8A, 10V
    1.6V @ 250μA
    798pF @ 10V
    8.7nC @ 5V
    4.5ns
    ±20V
    8.55 ns
    8A
    20V
    6.7A
    30V
    50A
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8313PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
    6 Weeks
    -
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    -
    SILICON
    9.7A
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2004
    e3
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    鸥翼
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    15.5m Ω @ 9.7A, 10V
    2.35V @ 25μA
    760pF @ 15V
    90nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    -
    -
    9.7A
    -
    81A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    IRF8313PBF
    R-PDSO-G8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    2W
    30V
    MS-012AA
    0.0155Ohm
    30V
    46 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    2W
    逻辑电平门
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