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DMN53D0L-13备选型号: DMN53D0LQ-7
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- JESD-609代码
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- 附加功能
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT2322 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-37.994566mg500mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)260301Single2.7 nsN-Channel1.6 Ω @ 500mA, 10V1.5V @ 250μA46pF @ 25V0.6nC @ 4.5V2.5ns50V±20V11 ns500mA20VROHS3 Compliant-------------- MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT2322 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-500mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2016e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn) - annealed26030---N-Channel1.6 Ω @ 500mA, 10V1.5V @ 250μA46pF @ 25V0.6nC @ 4.5V-50V±20V-500mA-ROHS3 CompliantSILICONAutomotive, AEC-Q1013HIGH RELIABILITY8541.21.00.95DUAL鸥翼R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSWITCHING0.5A50V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN61D9U-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 0.38A | 对比 |
 | MMBF170LT3 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 | 对比 |
| BSN20Q-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET NCH 50V 500MA SOT23 | 对比 |
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