Diodes Incorporated BSN20Q-7
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BSN20Q-7
671-BSN20Q-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET NCH 50V 500MA SOT23
1最小包装量--
BSN20Q-7详情
Diodes Incorporated BSN20Q-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
500mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
Power Dissipation (Max)
600mW Ta 920mW Tc
已出版
2013
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.8 Ω @ 220mA, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
40pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.8nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
50V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
500mA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.5A
DS 击穿电压-最小值
50V
反馈上限-最大值 (Crss)
10 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSN20Q-7拓展信息
Diodes Incorporated
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