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首页 全部分类 DMN6013LFGQ-13 vs BUK9M12-60EX

DMN6013LFGQ-13备选型号: BUK9M12-60EX

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  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Diodes Incorporated
    DMN6013LFGQ-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    10.3A Ta 45A Tc
    3V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    13m Ω @ 10A, 10V
    2577pF @ 30V
    55.4nC @ 10V
    60V
    ±20V
    45A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    BUK9M12-60EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1210, 8-LFPAK33
    8
    5V
    2.1V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    11m Ω @ 15A, 10V
    2769pF @ 25V
    -
    60V
    ±10V
    54A
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2016
    4
    SINGLE
    鸥翼
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    0.012Ohm
    216A
    60V
    50.5 mJ
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