Diodes Incorporated DMT6009LK3-13

工厂交货时间

23 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13.3A Ta 57A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.6W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10m Ω @ 13.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1925pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

33.5nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±16V

连续放电电流(ID)

57A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

13.3A

漏极-源极导通最大电阻

0.01Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

90A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

20.6 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant