您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 DMN6013LFGQ-7 vs BSC110N06NS3GATMA1

DMN6013LFGQ-7备选型号: BSC110N06NS3GATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN6013LFGQ-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    10.3A Ta 45A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2016
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    13m Ω @ 10A, 10V
    3V @ 250μA
    2577pF @ 30V
    55.4nC @ 10V
    60V
    ±20V
    45A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC110N06NS3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    11m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 23μA
    2700pF @ 30V
    33nC @ 10V
    -
    ±20V
    50A
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    no
    5
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    8
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    10 ns
    SWITCHING
    无卤素
    77ns
    6 ns
    12V
    60V
    200A
    22 mJ
    含铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMTH6010LPD-13 DMTH6010LPD-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-PowerTDFN MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI 对比
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8-Pin TDSON EP T/R 对比
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 对比