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首页 全部分类 DMN6066SSD-13 vs STS3P6F6

DMN6066SSD-13备选型号: STS3P6F6

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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • Vgs（最大值）
  • 漏源击穿电压
  • Diodes Incorporated
    DMN6066SSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    66mOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    1.8W
    鸥翼
    260
    40
    DMN6066SSD
    8
    Dual
    增强型MOSFET
    2.14W
    2.7 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    66m Ω @ 4.5A, 10V
    3V @ 250μA
    502pF @ 30V
    10.3nC @ 10V
    2.4ns
    60V
    5.4 ns
    3.3A
    20V
    4.4A
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STS3P6F6
    STMicroelectronics
    MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    -
    10V
    -55°C~150°C TJ
    Digi-Reel®
    -
    -
    -
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    -
    EAR99
    160mOhm
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    STS3P
    -
    Single
    -
    2.7W
    6.4 ns
    P-Channel
    -
    160m Ω @ 1.5A, 10V
    4V @ 250μA
    340pF @ 48V
    6.4nC @ 10V
    5.3ns
    60V
    3.7 ns
    3A
    20V
    -
    -
    -
    -
    1.5mm
    5mm
    4mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    ±20V
    -60V
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