STMicroelectronics STS3P6F6
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STS3P6F6
2381-STS3P6F6
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
--最小包装量--
STS3P6F6详情
STMicroelectronics STS3P6F6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.7W Tc
Turn Off Delay Time
14 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Digi-Reel®
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
ECCN 代码
EAR99
电阻
160mOhm
基本部件号
STS3P
元素配置
Single
功率耗散
2.7W
接通延迟时间
6.4 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
160m Ω @ 1.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
340pF @ 48V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.4nC @ 10V
上升时间
5.3ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
3.7 ns
连续放电电流(ID)
3A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-60V
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STS3P6F6拓展信息
STMicroelectronics
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