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首页 全部分类 DMN6068LK3-13 vs RFD3055LESM

DMN6068LK3-13备选型号: RFD3055LESM

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  • 引脚数量
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • Diodes Incorporated
    DMN6068LK3-13
    Diodes Incorporated
    N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TO252-3L
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    SILICON
    6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2013
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    鸥翼
    260
    not_compliant
    40
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    3.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    68m Ω @ 12A, 10V
    3V @ 250μA
    502pF @ 30V
    10.3nC @ 10V
    10.8ns
    ±20V
    8.7 ns
    8.5A
    TO-252AA
    20V
    6A
    0.068Ohm
    60V
    22.2A
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    RFD3055LESM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    SILICON
    11A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    -
    未说明
    -
    R-PSSO-G2
    不合格
    -
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    107m Ω @ 8A, 5V
    3V @ 250μA
    350pF @ 25V
    11.3nC @ 10V
    105ns
    ±16V
    39 ns
    11A
    TO-252AA
    16V
    -
    -
    60V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    60V
    11A
    38W
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