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DMN6069SFG-13备选型号: HUF76419D3ST
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 系列
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 无铅
MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI33317 Weeks8-PowerVDFN表面贴装表面贴装85.6A Ta 18A Tc3V @ 250μA2015Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)未说明未说明N-Channel50m Ω @ 4.5A, 10V1480pF @ 30V25nC @ 10V60V±20V18AROHS3 Compliant----------
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK-TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装320A Tc3V @ 250μA2002Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ--Obsolete1 (Unlimited)----N-Channel37m Ω @ 20A, 10V900pF @ 25V27.5nC @ 10V-±16V20A符合RoHS标准UltraFET™60V20ASingle75W35ns50 ns16V60V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BUK7M42-60EX | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-1210, 8-LFPAK33 | MOSFET N-CH 60V MLFPAK | 对比 |
 | STL7N6LF3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 60V 20A PWRFLAT8 | 对比 |
| HUF76419D3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK | 对比 |
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