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DMN61D8LQ-7备选型号: MMBF170LT3
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- 底架
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH 60V SOT2317 WeeksTO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装表面贴装2V @ 1mA390mW Ta2015Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)未说明未说明N-Channel1.8 Ω @ 150mA, 5V12.9pF @ 12V0.74nC @ 5V60V±12V470mAROHS3 Compliant--------------------
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23-TO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装表面贴装3V @ 1mA225mW Ta1997Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe0Obsolete1 (Unlimited)EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)24030N-Channel5 Ω @ 200mA, 10V60pF @ 10V--±20V500mANon-RoHS Compliant3SILICON360VDUAL鸥翼500mAR-PDSO-G3不合格Single增强型MOSFET225mWSWITCHINGTO-236AB20V0.5A5Ohm60Vnot_compliant含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN53D0L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23 | 对比 |
| DMN61D8L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23 | 对比 |
| MMBF170LT3 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 | 对比 |
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