您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 DMN62D1LFD-7 vs DMG1026UV-7

DMN62D1LFD-7备选型号: DMG1026UV-7

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电容量
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN62D1LFD-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3
    22 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-UDFN
    3
    400mA Ta
    1V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    32pF
    未说明
    未说明
    1
    Single
    2.1 ns
    N-Channel
    2 Ω @ 100mA, 4V
    36pF @ 25V
    0.55nC @ 4.5V
    2.8ns
    ±20V
    13.9 ns
    400mA
    20V
    60V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMG1026UV-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V,SOT563,3K
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    2
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    260
    40
    -
    Dual
    3.4 ns
    2 N-Channel (Dual)
    1.8 Ω @ 500mA, 10V
    32pF @ 25V
    0.45nC @ 10V
    3.4ns
    -
    16.3 ns
    410mA
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    yes
    6
    HIGH RELIABILITY
    580mW
    FLAT
    DMG1026
    6
    增强型MOSFET
    6.5W
    SWITCHING
    1.8V @ 250μA
    60V
    0.38A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    600μm
    1.7mm
    1.25mm
    无SVHC
    无
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMG1026UV-7 DMG1026UV-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 SOT-563, SOT-666 MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V,SOT563,3K 对比