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首页 全部分类 DMN62D1LFD-7 vs DMG1029SV-7

DMN62D1LFD-7备选型号: DMG1029SV-7

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电容量
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 电阻
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 极性/通道类型
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN62D1LFD-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3
    22 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-UDFN
    3
    400mA Ta
    1V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    32pF
    未说明
    未说明
    1
    Single
    2.1 ns
    N-Channel
    2 Ω @ 100mA, 4V
    36pF @ 25V
    0.55nC @ 4.5V
    2.8ns
    ±20V
    13.9 ns
    400mA
    20V
    60V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMG1029SV-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 60V SOT563
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    500mA 360mA
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    260
    40
    -
    -
    5.5 ns
    N and P-Channel
    1.7 Ω @ 500mA, 10V
    30pF @ 25V
    0.3nC @ 4.5V
    7.9ns
    -
    11.6 ns
    500mA
    20V
    60V
    ROHS3 Compliant
    3.005049mg
    SILICON
    yes
    6
    4Ohm
    HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
    450mW
    DUAL
    FLAT
    DMG1029
    6
    增强型MOSFET
    450mW
    SWITCHING
    2.5V @ 250μA
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    2.5V
    0.37A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    5 pF
    600μm
    1.7mm
    1.25mm
    无SVHC
    无
    无铅
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DMG1026UV-7 DMG1026UV-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 SOT-563, SOT-666 MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V,SOT563,3K 对比