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首页 全部分类 DMN63D8LDW-7 vs NTJS4160NT1G

DMN63D8LDW-7备选型号: NTJS4160NT1G

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • Vgs（最大值）
  • Diodes Incorporated
    DMN63D8LDW-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
    15 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    6.010099mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    300mW
    鸥翼
    260
    40
    DMN63D8L
    AEC-Q101
    Dual
    增强型MOSFET
    300mW
    3.3 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    2.8 Ω @ 250mA, 10V
    1.5V @ 250μA
    22pF @ 25V
    870nC @ 10V
    3.2ns
    30V
    6.3 ns
    220mA
    1.5V
    20V
    4.5Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    1.1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTJS4160NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    -
    SILICON
    1.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    逻辑电平兼容
    -
    鸥翼
    260
    40
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    620mW
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    60m Ω @ 2.6A, 10V
    2.4V @ 250μA
    230pF @ 10V
    2.75nC @ 4.5V
    7.2ns
    -
    7.2 ns
    2.6A
    -
    20V
    -
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
    Tin (Sn)
    DUAL
    6
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    ±20V
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