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首页 全部分类 DMN63D8LW-13 vs BSS138W-7-F

DMN63D8LW-13备选型号: BSS138W-7-F

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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • JESD-30代码
  • 配置
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • Vgs（最大值）
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
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  • 高度
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 质量
  • 无铅代码
  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 电压
  • 元素配置
  • 电流
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN63D8LW-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    SILICON
    380mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    R-PDSO-G3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    300mW
    2.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.8 Ω @ 250mA, 10V
    1.5V @ 250μA
    23.2pF @ 25V
    0.9nC @ 10V
    ±20V
    380mA
    20V
    0.38A
    4.5Ohm
    30V
    150°C
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    BSS138W-7-F
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 50V 200MA SC70-3
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    SILICON
    200mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    低阈值
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    -
    -
    1
    增强型MOSFET
    200mW
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5 Ω @ 220mA, 10V
    1.5V @ 250μA
    50pF @ 10V
    -
    ±20V
    200mA
    20V
    -
    -
    75V
    -
    1mm
    ROHS3 Compliant
    Tin
    3
    6.010099mg
    yes
    SMD/SMT
    3.5Ohm
    50V
    200mA
    3
    不合格
    50V
    Single
    2A
    1.2V
    50V
    1.2 V
    8 pF
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
    无铅
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