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DMN67D8LDW-7备选型号: BS870-7-F
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- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 场效应管特性
- RoHS状态
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- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- Vgs（最大值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT36316 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)320mW未说明未说明320mW2 N-Channel (Dual)5 Ω @ 500mA, 10V2.5V @ 250μA22pF @ 25V0.82nC @ 10V60V230mAStandardROHS3 Compliant--------------------------------
MOSFET, N CH, 60V, 0.25A, SOT-2316 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99--26040-N-Channel5 Ω @ 200mA, 10V3V @ 250μA50pF @ 10V--250mA-ROHS3 CompliantTin37.994566mgSILICON250mA Ta3SMD/SMT5Ohm60VDUAL鸥翼250mA31Single增强型MOSFET300mW2 nsSWITCHING±20V20V0.25A80V60V2 V5 pF1mm2.9mm1.3mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN67D8L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23 | 对比 |
 | DMN67D8LW-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-70, SOT-323 | MOSFET N-CH 60V SOT323 | 对比 |
 | NX138BKR | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V TO-236AB | 对比 |
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