Nexperia USA Inc. NX138BKR

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

265mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

310mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2016

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.5 Ω @ 200mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

20.2pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.49nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

265mA

JEDEC-95代码

TO-236AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.265A

漏极-源极导通最大电阻

3.8Ohm

DS 击穿电压-最小值

60V

RoHS状态

ROHS3 Compliant