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DMNH10H028SK3-13备选型号: STD47N10F7AG
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 系列
- 基本部件号
- 无铅
MOSFET N-CH 100V 55A TO25217 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6355A Tc3.3V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2015e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)未说明未说明N-Channel28m Ω @ 20A, 10V2245pF @ 50V36nC @ 10V100V±20V55Anot_compliantROHS3 Compliant---
MOSFET N-CH 100V 45A-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6345A Tc4.5V @ 250μA-55°C~175°C TJCut Tape (CT)---活跃1 (Unlimited)EAR99-未说明未说明N-Channel18m Ω @ 22.5A, 10V1640pF @ 50V25nC @ 10V100V±10V45A-ROHS3 CompliantAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ F7STD47无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPD60N10S412ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH TO252-3 | 对比 |
 | IPD122N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
| STD47N10F7AG | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 45A | 对比 |
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