DMNH10H028SPS-13备选型号: BSC196N10NSGATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    40A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    N-Channel
    28m Ω @ 20A, 10V
    4V @ 250μA
    2245pF @ 50V
    36nC @ 10V
    100V
    ±20V
    40A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    8.5A Ta 45A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    未说明
    not_compliant
    未说明
    N-Channel
    19.6m Ω @ 45A, 10V
    4V @ 42μA
    2300pF @ 50V
    34nC @ 10V
    -
    ±20V
    45A
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SILICON
    OptiMOS™
    5
    DUAL
    FLAT
    8
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    78W
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    22ns
    3V
    20V
    100V
    60 mJ
    无SVHC
    含铅
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