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DMNH6021SPDQ-13备选型号: STD35NF06T4
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 触点镀层
- 质量
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI17 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON8.2A 32A-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101e3活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY1.5WFLAT未说明未说明R-PDSO-F6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN2 N-Channel (Dual)SWITCHING25m Ω @ 15A, 10V3V @ 250μA1143pF @ 25V20.1nC @ 10V60V32A0.025Ohm60V64 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant---------------------
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON1-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ IIe3ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)1 (Unlimited)2EAR99---鸥翼26030R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING20m Ω @ 17.5A, 10V-1300pF @ 25V60nC @ 10V-35A-----ROHS3 CompliantTin4.535924g4V @ 250μA20mOhm60V35ASTD35Single55W16 ns8ns±20V15 nsTO-252AA20V60V2.4mm6.6mm6.2mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STD35NF06T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 35A DPAK | 对比 |
 | STB45NF06T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA | MOSFET N-Ch, 60V-0.022ohms 38A | 对比 |
| STD30N6LF6AG | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 24A | 对比 |
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