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DMNH6042SPDQ-13备选型号: STB36NF06LT4
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- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET NCH 60V 5.7A POWERDI17 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON5.7A Ta 24A Tc3V @ 250μA2016-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101e3活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYDUALFLAT未说明未说明R-PDSO-F6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING50m Ω @ 5.1A, 10V584pF @ 25V8.8nC @ 10V60V±20V24A5.7A0.05Ohm32A60V65 mJROHS3 Compliant---------------
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON30A Tc2.5V @ 250μA--55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ IIe3ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - annealed--鸥翼24530R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING40m Ω @ 15A, 10V660pF @ 25V17nC @ 5V-±18V30A-----ROHS3 Compliant40mOhm60V30ASTB36NSingle70W10 ns80ns13 ns1V18V60V无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB36NF06LT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
 | NTB30N06G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK | 对比 |
 | HUFA76419S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK | 对比 |
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