DMP2004DMK-7备选型号: FDC6303N
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 质量
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 双电源电压
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 无铅
- MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT-2616 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-66SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY500mW鸥翼2604062Dual增强型MOSFET2 P-Channel (Dual)SWITCHING900m Ω @ 430mA, 4.5V1V @ 250μA175pF @ 16V20V550mA8V0.55A0.9Ohm-20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.1mm3mm1.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant-----------------
- Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin SuperSOT T/R10 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1997e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)逻辑电平兼容900mW鸥翼---2Dual增强型MOSFET2 N-Channel (Dual)SWITCHING450m Ω @ 500mA, 4.5V1.5V @ 250μA50pF @ 10V-680mA8V--25VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.1mm3mm1.7mm无SVHC无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 day ago)36mgSMD/SMT450mOhm25V680mA900mW3 ns700mW2.3nC @ 4.5V8.5ns13 ns800mV25V150°C800 mV无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SI3443DV | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET -20V, -4A, 65mO | 对比 | |
| FDC634P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 20V 3.5A SSOT-6 | 对比 |



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