ON Semiconductor FDC634P
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FDC634P
1807-FDC634P
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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MOSFET P-CH 20V 3.5A SSOT-6
--最小包装量--
FDC634P详情
ON Semiconductor FDC634P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
36mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.6W Ta
Turn Off Delay Time
27 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2001
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
80MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
-3.5A
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.6W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
80m Ω @ 3.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
779pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 4.5V
上升时间
9ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
9 ns
连续放电电流(ID)
-3.5A
阈值电压
-800mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-20V
双电源电压
-20V
栅源电压
-800 mV
高度
1mm
长度
3mm
宽度
1.7mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDC634P拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







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