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首页 全部分类 DMP2004DWK-7 vs DMN2004DWK-7

DMP2004DWK-7备选型号: DMN2004DWK-7

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  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • Diodes Incorporated
    DMP2004DWK-7
    Diodes Incorporated
    Dual P-Channel 20 V 900 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-363
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    6.010099mg
    SILICON
    2
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    900mOhm
    Matte Tin (Sn)
    低阈值
    250mW
    鸥翼
    260
    40
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    250mW
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    900m Ω @ 430mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    175pF @ 16V
    20V
    430mA
    8V
    0.43A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2004DWK-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET Dual N-Channel
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    6.010099mg
    SILICON
    2
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    550mOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    200mW
    鸥翼
    260
    40
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    200mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    550m Ω @ 540mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    150pF @ 16V
    -
    540mA
    8V
    0.54A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    20V
    540mA
    DMN2004DWK
    不合格
    4.1 ns
    1V
    20V
    150°C
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