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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.554821
10
¥0.523417
100
¥0.493789
500
¥0.465838
1000
¥0.439471
Diodes Incorporated DMC2004DWK-7
- 收藏
- 对比
DMC2004DWK-7
671-DMC2004DWK-7
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

MOSFET N/P-CH 20V SOT-363
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMC2004DWK-7详情
Diodes Incorporated DMC2004DWK-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
19 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
质量
6.010099mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
540mA 430mA
Number of Elements
2
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2017
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
900μOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
防静电
最大功率耗散
250mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DMC2004DWK
引脚数量
6
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
250mW
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
550m Ω @ 540mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
150pF @ 16V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
540mA
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.54A
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
高度
1mm
长度
2.2mm
宽度
1.35mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMC2004DWK-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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