DMP2008UFG-7备选型号: DMP2010UFG-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI19 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN872.007789mgSILICON14A Ta 54A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Matte Tin (Sn)DUAL无铅26040S-PDSO-N51Single增强型MOSFETDRAIN22 nsP-ChannelSWITCHING8m Ω @ 12A, 4.5V1V @ 250μA6909pF @ 10V72nC @ 4.5V33ns20V±8V124 ns54A8V-20V850μm3.35mm3.35mm无SVHCROHS3 Compliant无铅
- MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI333318 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8--12.7A Ta 42A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e3yes活跃1 (Unlimited)-EAR99Matte Tin (Sn)--未说明未说明------P-Channel-9.5m Ω @ 3.6A, 4.5V1.2V @ 250μA3350pF @ 10V103nC @ 10V-20V±10V-42A------ROHS3 Compliant-
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMP26M7UFG-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8 | 对比 |
![]() | DMP2010UFG-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333 | 对比 |
![]() | PSMN7R5-25YLC,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-100, SOT-669 | MOSFET N-chnl25V7.4m logic lvl MOSFET in LFPAK | 对比 |




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