DMP2010UFG-7备选型号: PSMN9R0-25YLC,115
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- Reach合规守则
- 引脚数量
- 源Url状态检查日期
- MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI333318 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN812.7A Ta 42A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)未说明未说明P-Channel9.5m Ω @ 3.6A, 4.5V1.2V @ 250μA3350pF @ 10V103nC @ 10V20V±10V42AROHS3 Compliant---
- MOSFET N-chnl25V9.1m logic lvl MOSFET in LFPAK--表面贴装SC-100, SOT-669-46A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2013--Obsolete1 (Unlimited)----N-Channel9.1m Ω @ 15A, 10V1.95V @ 1mA694pF @ 12V12nC @ 10V25V±20V-ROHS3 Compliantnot_compliant42013-06-14 00:00:00
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMP2008UFG-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI | 对比 |
| NTD3813NT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK | 对比 | |
![]() | PSMN9R0-25YLC,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-100, SOT-669 | MOSFET N-chnl25V9.1m logic lvl MOSFET in LFPAK | 对比 |




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