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首页 全部分类 DMP2035UTS-13 vs NTQD6866R2G

DMP2035UTS-13备选型号: NTQD6866R2G

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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 资历状况
  • 配置
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMP2035UTS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET MOSFET P-CHAN
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    8
    157.991892mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    890mW
    鸥翼
    260
    40
    DMP2035UTS
    8
    增强型MOSFET
    890mW
    16.8 ns
    2 P-Channel (Dual) Common Drain
    SWITCHING
    35m Ω @ 4A, 4.5V
    1V @ 250μA
    1610pF @ 10V
    15.4nC @ 4.5V
    12.4ns
    20V
    42.4 ns
    6.04A
    8V
    0.045Ohm
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTQD6866R2G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    8
    -
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    940mW
    鸥翼
    260
    40
    -
    8
    增强型MOSFET
    2W
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    32m Ω @ 6.9A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1400pF @ 16V
    22nC @ 4.5V
    45ns
    -
    90 ns
    4.7A
    12V
    0.032Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    -
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    20V
    6.9A
    不合格
    COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    175 pF
    无铅
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