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首页 全部分类 DMP2047UCB4-7 vs IRLHS6276TRPBF

DMP2047UCB4-7备选型号: IRLHS6276TRPBF

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  • 晶体管应用
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 系列
  • 电阻
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMP2047UCB4-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 20V 4.1A 4UWLB
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-UFBGA, WLBGA
    4
    SILICON
    4.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    HIGH RELIABILITY
    BOTTOM
    BALL
    AEC-Q101
    Single
    增强型MOSFET
    7.9 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    47m Ω @ 1A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    218pF @ 10V
    2.3nC @ 4.5V
    10.7ns
    20V
    38 ns
    4.1A
    -6V
    3.6A
    0.06Ohm
    20V
    380μm
    1.05mm
    1.05mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLHS6276TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-VQFN
    6
    SILICON
    10 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    4.4 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    45m Ω @ 3.4A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    310pF @ 10V
    3.1nC @ 4.5V
    9.3ns
    20V
    4.9 ns
    4.5A
    12V
    3.4A
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    HEXFET®
    45MOhm
    1.5W
    260
    30
    IRLHS6276PBF
    1.5W
    DRAIN
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    800 mV
    无SVHC
    无铅
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