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首页 全部分类 DMP2104LP-7 vs DMN2050LFDB-7

DMP2104LP-7备选型号: DMN2050LFDB-7

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 接通延迟时间
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • Diodes Incorporated
    DMP2104LP-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN
    16 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    3-XDFN
    3
    SILICON
    1.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    240mOhm
    HIGH RELIABILITY
    BOTTOM
    260
    40
    3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    500mW
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    150m Ω @ 950mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    320pF @ 16V
    20V
    ±12V
    1.5A
    -1V
    12V
    -20V
    480μm
    1.4mm
    1.1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2050LFDB-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
    20 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    -
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e4
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    HIGH RELIABILITY
    -
    260
    30
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    45m Ω @ 5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    389pF @ 10V
    20V
    -
    3.3A
    -
    12V
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    730mW
    AEC-Q101
    S-PDSO-N6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    5 ns
    12nC @ 10V
    8ns
    8 ns
    4.5A
    0.045Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
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