您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 DMP2130LDM-7 vs FDC6401N

DMP2130LDM-7备选型号: FDC6401N

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 系列
  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMP2130LDM-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    SILICON
    3.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    1.25W
    12 ns
    P-Channel
    80m Ω @ 4.5A, 4.5V
    1.25V @ 250μA
    443pF @ 16V
    7.3nC @ 4.5V
    20ns
    20V
    ±12V
    20 ns
    3.4A
    12V
    0.08Ohm
    20A
    20V
    600μm
    1.6mm
    1.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC6401N
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin SuperSOT T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    2
    增强型MOSFET
    960mW
    5 ns
    2 N-Channel (Dual)
    70m Ω @ 3A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    324pF @ 10V
    4.6nC @ 4.5V
    7ns
    -
    -
    1.6 ns
    3A
    12V
    -
    -
    -
    1.1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    36mg
    PowerTrench®
    SMD/SMT
    70MOhm
    20V
    960mW
    3A
    Dual
    700mW
    SWITCHING
    900mV
    3A
    20V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    Standard
    900 mV
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
SI3443DV SI3443DV ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET -20V, -4A, 65mO 对比