ON Semiconductor FDC6401N
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FDC6401N
1807-FDC6401N
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin SuperSOT T/R
--最小包装量--
FDC6401N详情
ON Semiconductor FDC6401N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
36mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
13 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2017
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
70MOhm
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
960mW
终端形式
鸥翼
额定电流
3A
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
960mW
接通延迟时间
5 ns
功率 - 最大
700mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
70m Ω @ 3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
324pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.6nC @ 4.5V
上升时间
7ns
下降时间(典型值)
1.6 ns
连续放电电流(ID)
3A
阈值电压
900mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3A
漏源击穿电压
20V
双电源电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度(Tj)
150°C
场效应管特性
Standard
栅源电压
900 mV
高度
1.1mm
长度
3mm
宽度
1.7mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDC6401N拓展信息









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