DMP2160UFDBQ-7备选型号: MCH6337-TL-W
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- 无铅代码
- Reach合规守则
- 接通延迟时间
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 无铅
- Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R15 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed PadSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e4活跃1 (Unlimited)6EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)HIGH RELIABILITY1.4W无铅未说明未说明AEC-Q101S-PDSO-N6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN1.4W2 P-Channel (Dual)SWITCHING70m Ω @ 2.8A, 4.5V900mV @ 250μA536pF @ 10V6.5nC @ 4.5V20V3.8A0.07Ohm13A20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant----------
- MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH64 Weeks表面贴装表面贴装6-SMD, Flat Leads-4.5A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2012-活跃1 (Unlimited)--------------P-Channel-49m Ω @ 3A, 4.5V1.3V @ 1mA670pF @ 10V7.3nC @ 4.5V20V4.5A-----ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 2 days ago)6yesnot_compliant8.4 ns45ns±10V63 ns10V无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLML2244TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 | 对比 |
| SI3443DV | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET -20V, -4A, 65mO | 对比 | |
| MCH6337-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 | 对比 |




哦! 它是空的。