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首页 全部分类 DMP21D5UFD-7 vs DMN21D2UFB-7B

DMP21D5UFD-7备选型号: DMN21D2UFB-7B

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    DMP21D5UFD-7
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A T/R
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-UDFN
    3
    600mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2012
    e4
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    260
    40
    1
    8.5 ns
    P-Channel
    1 Ω @ 100mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    46.1pF @ 10V
    800nC @ 8V
    4.3ns
    20V
    ±8V
    19.2 ns
    600mA
    8V
    -20V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN21D2UFB-7B
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-UFDFN
    3
    760mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    260
    40
    1
    3.5 ns
    N-Channel
    990m Ω @ 100mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    27.6pF @ 16V
    0.93nC @ 10V
    4.2ns
    20V
    ±12V
    9.8 ns
    760mA
    12V
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    3
    HIGH RELIABILITY
    BOTTOM
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    0.76A
    0.99Ohm
    20V
    480μm
    1.08mm
    675μm
    无
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