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首页 全部分类 DMP3010LPS-13 vs IRFH3702TR2PBF

DMP3010LPS-13备选型号: IRFH3702TR2PBF

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  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 接口IC类型
  • 漏源击穿电压
  • 高边驱动器
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 功率耗散
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • Diodes Incorporated
    DMP3010LPS-13
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET P-CH 30V 36A Automotive 8-Pin PowerDI T/R
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    95.991485mg
    14.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    1
    8
    1
    Single
    11.4 ns
    P-Channel
    7.5m Ω @ 10A, 10V
    2.1V @ 250μA
    6234pF @ 15V
    126.2nC @ 10V
    9.4ns
    30V
    ±20V
    99.3 ns
    36A
    20V
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    -30V
    NO
    1.1mm
    6mm
    5.1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH3702TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    16A Ta 42A Tc
    -
    Cut Tape (CT)
    2010
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    9.6 ns
    N-Channel
    7.1mOhm @ 16A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1510pF @ 15V
    14nC @ 4.5V
    15ns
    30V
    -
    5.8 ns
    16A
    20V
    -
    30V
    -
    939.8μm
    2.9972mm
    2.9972mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    8-PQFN (3x3)
    HEXFET®
    7.1MOhm
    150°C
    -55°C
    2.8W
    2.8W
    1.51nF
    26 ns
    7.1mOhm
    7.1 mΩ
    1.8 V
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IRFH3702TR2PBF IRFH3702TR2PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN 对比