DMP3015LSSQ-13备选型号: IRF8721PBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 系列
- ECCN 代码
- 电阻
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET P-CH 30V 13A 8-SO15 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)88-SO2.5W Ta2V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015活跃1 (Unlimited)150°C-55°CP-Channel11mOhm @ 13A, 10V2748pF @ 20V60.4nC @ 10V30V±20V13A2.748nF11 mΩROHS3 Compliant-------------------
- MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC39 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-14A Ta2.35V @ 25μA-55°C~150°C TJTube2007Discontinued1 (Unlimited)--N-Channel8.5m Ω @ 14A, 10V1040pF @ 15V12nC @ 4.5V-±20V14A--ROHS3 CompliantHEXFET®EAR998.5MOhmSingle2.5W8.2 ns11ns7 ns2.35V20V30V21 ns2.35 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7821TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC | 对比 |
![]() | IRF8721PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | 对比 |




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