DMP3018SFK-7备选型号: IRF8707TRPBF

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 最大结点温度(Tj)
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 阈值电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 栅源电压
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 30V 10.2A DFN2523-6
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerUDFN
    6
    U-DFN2523-6
    10.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1
    1W
    7.35 ns
    P-Channel
    14.5mOhm @ 9.5A, 10V
    3V @ 250μA
    4414pF @ 15V
    90nC @ 10V
    30V
    ±25V
    -10.2A
    25V
    -30V
    4.414nF
    150°C
    9.5mOhm
    14.5 mΩ
    630μm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    11A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    1
    2.5W
    6.7 ns
    N-Channel
    11.9m Ω @ 11A, 10V
    2.35V @ 25μA
    760pF @ 15V
    9.3nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    11A
    20V
    30V
    -
    150°C
    -
    -
    1.75mm
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    HEXFET®
    8
    EAR99
    11.9MOhm
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    7.9ns
    4.4 ns
    1.8V
    53 mJ
    1.8 V
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无铅
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