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首页 全部分类 DMP3028LSD-13 vs BSO200N03

DMP3028LSD-13备选型号: BSO200N03

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
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  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMP3028LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2P-CH 30V 6A SO-8
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    1.3W
    260
    30
    1.3W
    2 P-Channel (Dual)
    25m Ω @ 7A, 10V
    3V @ 250μA
    1241pF @ 15V
    10.9nC @ 10V
    30V
    6A
    6A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
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    -
  • Infineon Technologies
    BSO200N03
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    1.4W
    260
    40
    -
    2 N-Channel (Dual)
    20m Ω @ 7.9A, 10V
    2V @ 13μA
    1010pF @ 15V
    8nC @ 5V
    -
    7A
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    Tin
    8
    SILICON
    2
    OptiMOS™
    8
    雪崩 额定
    30V
    鸥翼
    6.6A
    8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.56W
    2.9 ns
    SWITCHING
    2.6ns
    2.6 ns
    MS-012
    20V
    0.02Ohm
    30V
    56 pF
    无铅
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