Infineon Technologies BSO200N03
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BSO200N03
1211-BSO200N03
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
--最小包装量--
BSO200N03详情
Infineon Technologies BSO200N03重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
12 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2011
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
附加功能
雪崩 额定
电压 - 额定直流
30V
最大功率耗散
1.4W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
6.6A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.56W
接通延迟时间
2.9 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
20m Ω @ 7.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 13μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1010pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8nC @ 5V
上升时间
2.6ns
下降时间(典型值)
2.6 ns
连续放电电流(ID)
7A
JEDEC-95代码
MS-012
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.02Ohm
漏源击穿电压
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
反馈上限-最大值 (Crss)
56 pF
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
BSO200N03拓展信息
Infineon Technologies
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