您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 DMP3036SSD-13 vs IRF8513PBF

DMP3036SSD-13备选型号: IRF8513PBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 终端
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMP3036SSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2P-CH 30V 10.6A 8-SO
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    1.2W
    鸥翼
    未说明
    未说明
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.2W
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    20m Ω @ 9A, 10V
    3V @ 250μA
    1931pF @ 15V
    16.5nC @ 10V
    30V
    10.6A
    0.02Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8513PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    8A 11A
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    2.4W
    -
    -
    -
    -
    -
    1.5W 2.4W
    2 N-Channel (Dual)
    -
    15.5mOhm @ 8A, 10V
    2.35V @ 25μA
    766pF @ 15V
    8.6nC @ 4.5V
    30V
    8A
    -
    -
    -
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    8-SO
    SMD/SMT
    15.5MOhm
    175°C
    -55°C
    IRF8513PBF
    Dual
    2.4W
    1.8V
    20V
    30V
    30V
    766pF
    23 ns
    22.2mOhm
    15.5 mΩ
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRF8513PBF IRF8513PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC 对比
DMN3015LSD-13 DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO 对比
IRF7811AVTRPBF IRF7811AVTRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC 对比