Infineon Technologies IRF8513PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A 11A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2008

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

电阻

15.5MOhm

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

2.4W

基本部件号

IRF8513PBF

元素配置

Dual

功率耗散

2.4W

功率 - 最大

1.5W 2.4W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

15.5mOhm @ 8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

766pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.6nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

连续放电电流(ID)

8A

阈值电压

1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

输入电容

766pF

恢复时间

23 ns

场效应管特性

逻辑电平门

漏源电阻

22.2mOhm

最大rds

15.5 mΩ

栅源电压

1.8 V

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅