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首页 全部分类 DMP3085LSD-13 vs DMC3032LSD-13

DMP3085LSD-13备选型号: DMC3032LSD-13

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 无铅代码
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • 极性/通道类型
  • Diodes Incorporated
    DMP3085LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    3.9A
    -55°C~150°C TJ
    Digi-Reel®
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    1.1W
    鸥翼
    260
    30
    AEC-Q101
    2
    增强型MOSFET
    1.1W
    4.8 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    70m Ω @ 5.3A, 10V
    3V @ 250μA
    563pF @ 25V
    11nC @ 10V
    5ns
    30V
    14.6 ns
    -3.9A
    20V
    0.07Ohm
    -30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    1.7mm
    4.95mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMC3032LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    8.1A 7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    2.5W
    鸥翼
    260
    40
    -
    2
    增强型MOSFET
    -
    10.1 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    32m Ω @ 7A, 10V
    2.1V @ 250μA
    404.5pF @ 15V
    9.2nC @ 10V
    6.5ns
    30V
    22.2 ns
    7A
    20V
    -
    -30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    逻辑电平门
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    73.992255mg
    yes
    DUAL
    8
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
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