DMP6023LE-13备选型号: ZXMP6A17GQTA
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电容量
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 引脚数
- 基本部件号
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET P-CH 60V 7A SOT22322 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA188.014037mgSILICON7A Ta 18.2A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e3活跃1 (Unlimited)4EAR99Matte Tin (Sn) - annealedHIGH RELIABILITY2.569nFDUAL鸥翼260not_compliant30R-PDSO-G41Single增强型MOSFETDRAIN6 nsP-ChannelSWITCHING28m Ω @ 5A, 10V3V @ 250μA2569pF @ 30V53.1nC @ 10V7.1ns60V±20V62 ns18.2A20V7A0.028Ohm-60V50A62.9 mJ150°C1.8mm6.5mm3.5mmROHS3 Compliant-----
- MOSFET P-CH 60V 3A SOT22315 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA7.994566mgSILICON3A Ta-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2010e3活跃1 (Unlimited)4EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY-DUAL鸥翼260-30R-PDSO-G41Single增强型MOSFETDRAIN2.6 nsP-ChannelSWITCHING125m Ω @ 2.2A, 10V1V @ 250μA637pF @ 30V17.7nC @ 10V3.4ns60V±20V11.3 ns3A20V3A--60V------ROHS3 Compliant3ZXMP6A17无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSP318SL6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
![]() | BSP171PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
![]() | BSP315PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |




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