Diodes Incorporated DMP6023LE-13

工厂交货时间

22 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

质量

188.014037mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A Ta 18.2A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta

Turn Off Delay Time

110 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

附加功能

HIGH RELIABILITY

电容量

2.569nF

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-G4

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

28m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2569pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

53.1nC @ 10V

上升时间

7.1ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

62 ns

连续放电电流(ID)

18.2A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏极-源极导通最大电阻

0.028Ohm

漏源击穿电压

-60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

50A

雪崩能量等级（Eas）

62.9 mJ

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

1.8mm

长度

6.5mm

宽度

3.5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant