DMP6050SFG-13备选型号: DMN6040SFDE-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 附加功能
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 宽度
- 高度
- 长度
- 达到SVHC
- 无铅
- DMP6050SFG Series 60 V 4.8 A P-Channel Enhancement Mode Mosfet - POWERDI33323 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON4.8A Ta3V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Matte Tin (Sn)DUAL无铅未说明未说明S-PDSO-N5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINP-ChannelSWITCHING50m Ω @ 5A, 10V1293pF @ 30V24nC @ 10V60V±20V4.8A0.05Ohm32A60VROHS3 Compliant-------------
- Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R17 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed Pad6SILICON13V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e4yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)DUAL无铅26040S-PDSO-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING38m Ω @ 4.3A, 10V1287pF @ 25V22.4nC @ 10V-±20V5.3A0.038Ohm--ROHS3 CompliantHIGH RELIABILITY12.03W6.6 ns8.1ns4 ns20V60V2.05mm580μm2.05mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN6040SFDE-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R | 对比 |
![]() | DMN6040SSDQ-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 60V 5.0A SO-8 | 对比 |
| CPH6442-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 6-Pin CPH T/R | 对比 |





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