DMP6050SSD-13备选型号: ZXMN6A25N8TA
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 供应商器件包装
- 质量
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8-SO23 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e3活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)1.2W鸥翼未说明未说明SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET1.2W2 P-Channel (Dual)SWITCHING55m Ω @ 5A, 10V3V @ 250μA1293pF @ 30V24nC @ 10V60V4.8A0.055Ohm60VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant---------------------
- Trans MOSFET N-CH 60V 5.7A 8-Pin SOIC T/R17 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-4.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008-活跃1 (Unlimited)----------N-Channel-50mOhm @ 3.6A, 10V3V @ 250μA1063pF @ 30V20.4nC @ 10V60V5.7A----ROHS3 Compliant8-SO73.992255mg50mOhm150°C-55°C12.8W3.8 ns4ns±20V10.6 ns20V1.063nF50mOhm50 mΩ1.5mm5mm4mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HUFA76413DK8T | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO | 对比 | |
![]() | ZXMN6A25N8TA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 60V 5.7A 8-Pin SOIC T/R | 对比 |
![]() | DMN6040SSDQ-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 60V 5.0A SO-8 | 对比 |



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