DMP6180SK3-13备选型号: IPD800N06NGBTMA1

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • Diodes Incorporated
    P-Channel 60 V 110 mO Surface Mount Enhancement Mode Mosfet -TO-252-3 (DPAK)
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    14A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    1
    Single
    5.9 ns
    P-Channel
    110m Ω @ 12A, 10V
    2.7V @ 250μA
    984.7pF @ 30V
    17.1nC @ 10V
    21.2ns
    60V
    ±20V
    39.1 ns
    14A
    20V
    2.39mm
    6.7mm
    6.2mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    16A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    7 ns
    N-Channel
    80m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 16μA
    370pF @ 30V
    10nC @ 10V
    38ns
    60V
    ±20V
    27 ns
    16A
    20V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    SILICON
    OptiMOS™
    no
    2
    雪崩 额定
    SINGLE
    鸥翼
    4
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    47W
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-252AA
    0.08Ohm
    64A
    60V
    43 mJ
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IPD800N06NGBTMA1 IPD800N06NGBTMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2 Tab) TO-252 对比