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首页 全部分类 DMS3016SSS-13 vs IRL6342TRPBF

DMS3016SSS-13备选型号: IRL6342TRPBF

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  • 场效应管特性
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMS3016SSS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SO
    73.992255mg
    9.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1
    1.54W
    6.62 ns
    N-Channel
    13mOhm @ 9.8A, 10V
    2.3V @ 250μA
    1849pF @ 15V
    43nC @ 10V
    8.73ns
    30V
    ±12V
    4.69 ns
    9.8A
    1V
    12V
    1.849nF
    Schottky Diode (Body)
    9mOhm
    13 mΩ
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRL6342TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    -
    9.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    2.5W
    6 ns
    N-Channel
    14.6m Ω @ 9.9A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    1025pF @ 25V
    11nC @ 4.5V
    12ns
    -
    ±12V
    14 ns
    9.9A
    1.1V
    12V
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    HEXFET®
    e3
    8
    EAR99
    14.6MOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    30V
    79A
    1.1 V
    无铅
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