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首页 全部分类 DMT10H015LCG-7 vs IRL540NSTRLPBF

DMT10H015LCG-7备选型号: IRL540NSTRLPBF

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  • 终端
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  • 终端形式
  • 额定电流
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMT10H015LCG-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-VDFN Exposed Pad
    9.4A Ta 34A Tc
    -55°C~155°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    15m Ω @ 20A, 10V
    3.5V @ 250μA
    1871pF @ 50V
    33.3nC @ 10V
    100V
    ±20V
    34A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRL540NSTRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    36A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    260
    30
    N-Channel
    44m Ω @ 18A, 10V
    2V @ 250μA
    1800pF @ 25V
    74nC @ 5V
    -
    ±16V
    36A
    ROHS3 Compliant
    3
    SILICON
    HEXFET®
    2
    SMD/SMT
    44mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    100V
    鸥翼
    36A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    3.8W
    DRAIN
    11 ns
    SWITCHING
    81ns
    62 ns
    2V
    16V
    100V
    100V
    290 ns
    2 V
    4.826mm
    10.668mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    无铅
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